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- 商品图片
- P/N
- Family
- UNI/BI
- Line Config
- VRWM(V)
- VBR Min(V)
- Cj Typ(pF)
- Cj Max
- Cj Max新
- VC(V)
- IPP Max(A)
- IR Max(μA)
- PPP(W)
- Package
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- ASM24CXQ
- Family High Voltage TVS
- UNI/BI Bi
- Line Config 2-Line
- VRWM(V) 24
- VBR Min(V) 25
- Cj Typ(pF) 9
- Cj Max
- Cj Max新
- VC(V) 30
- IPP Max(A) 8
- IR Max(μA) 0.2
- PPP(W) 240
- Package SOT-23
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加入对比
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- AU4891P6A
- Family Low Voltage TVS
- UNI/BI Uni
- Line Config 1-Line
- VRWM(V) 4.8
- VBR Min(V) 5
- Cj Typ(pF) 450
- Cj Max
- Cj Max新
- VC(V) 20
- IPP Max(A) 185
- IR Max(μA) 0.5
- PPP(W) 3700
- Package DFN1610-2
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加入对比
-
- AU1581P1C
- Family High Voltage TVS
- UNI/BI Bi
- Line Config 1-Line
- VRWM(V) 15
- VBR Min(V) 16
- Cj Typ(pF) 55
- Cj Max
- Cj Max新
- VC(V) 23
- IPP Max(A) 30
- IR Max(μA) 0.2
- PPP(W) 690
- Package DFN1006-2
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加入对比
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- APO3105ASDNA
- VOVLO (V) 6
- CLAMP(V) NA
- SURG (V) NA
- IOUT (A) 4
- RON (mΩ) 42
- ILMT (A) NA
- NTC NA
- VIN (DC) (V) 32
- VBR (V) 35
- ECO YES
- Package DFN2x2-6
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加入对比
-
- AU6381P6B
- Family Surge Protection TVS
- UNI/BI Bi
- Line Config 1-Line
- VRWM(V) 6.3
- VBR Min(V) 6.5
- Cj Typ(pF) 370
- Cj Max
- Cj Max新
- VC(V) 17
- IPP Max(A) 155
- IR Max(μA) 0.5
- PPP(W) 2635
- Package DFN1610-2
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加入对比
-
- AU4581P6B
- Family Surge Protection TVS
- UNI/BI Bi
- Line Config 1-Line
- VRWM(V) 4.5
- VBR Min(V) 4.8
- Cj Typ(pF) 400
- Cj Max
- Cj Max新
- VC(V) 18
- IPP Max(A) 195
- IR Max(μA) 0.5
- PPP(W) 3510
- Package DFN11610-2
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加入对比
-
- AR0502P1SC
- Family Low Capacitance TVS
- UNI/BI Uni
- Line Config 2-Line
- VRWM(V) 5
- VBR Min(V) 6
- Cj Typ(pF) 0.65
- Cj Max 1
- Cj Max新 1
- VC(V) 5
- IPP Max(A) 13
- IR Max(μA) 0.2
- PPP(W) 65
- Package DFN1006-3
-
加入对比
-
- AR3302P1SC
- Family Low Capacitance TVS
- UNI/BI Uni
- Line Config 2-Line
- VRWM(V) 3.3
- VBR Min(V) 3.5
- Cj Typ(pF) 1
- Cj Max
- Cj Max新
- VC(V) 5
- IPP Max(A) 13
- IR Max(μA) 0.2
- PPP(W) 65
- Package DFN1006-3
-
加入对比
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- AR1211D3HL
- Family Low Capacitance TVS
- UNI/BI Bi
- Line Config 1-Line
- VRWM(V) 12
- VBR Min(V) 13.3
- Cj Typ(pF) 0.6
- Cj Max
- Cj Max新
- VC(V) 28
- IPP Max(A) 19
- IR Max(μA) 0.2
- PPP(W) 523
- Package SOD-323
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加入对比
-
- CMN6003GSP
- Plateform SGT MOSFET
- Configuration Single
- Package TO-220
- N/P N
- VDSS(V) 60
- VGS(V) ±20
- ID(A) 120
- VGS(th) Min 2
- VGS(th) Max 4
- Rdson @VGS10V Typ(mΩ) 2.5
- Rdson @VGS10V Max(mΩ) 3
- Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS4.5V Max(mΩ)
- Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS2.5V Max(mΩ)
-
加入对比
-
- CMN6003GSB
- Plateform SGT MOSFET
- Configuration Single
- Package TO-263
- N/P N
- VDSS(V) 60
- VGS(V) ±20
- ID(A) 120
- VGS(th) Min 2
- VGS(th) Max 4
- Rdson @VGS10V Typ(mΩ) 2.5
- Rdson @VGS10V Max(mΩ) 3
- Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS4.5V Max(mΩ)
- Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS2.5V Max(mΩ)
-
加入对比
-
- CMN3008SF5
- Plateform Trench MOSFET
- Configuration Single
- Package DFN5x6
- N/P N
- VDSS(V) 30
- VGS(V) ±20
- ID(A) 57
- VGS(th) Min 1
- VGS(th) Max 2.5
- Rdson @VGS10V Typ(mΩ) 6
- Rdson @VGS10V Max(mΩ) 7.5
- Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ) 9
- Rdson @VGS4.5V Max(mΩ) 11.5
- Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS2.5V Max(mΩ)
-
加入对比
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- CM07N65AHB
- Plateform Planar MOSFET
- Configuration Single
- Package TO-263
- N/P N
- VDSS(V) 650
- VGS(V) ±30
- ID(A) 7
- VGS(th) Min 2
- VGS(th) Max 4
- Rdson @VGS10V Typ(mΩ) 1200
- Rdson @VGS10V Max(mΩ) 1400
- Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS4.5V Max(mΩ)
- Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS2.5V Max(mΩ)
-
加入对比
-
- CMD30811YTF5
- Plateform Trench MOSFET
- Configuration Dual
- Package DFN5x6
- N/P P
- VDSS(V) -30
- VGS(V) ±20
- ID(A) -39
- VGS(th) Min -1
- VGS(th) Max -2.5
- Rdson @VGS10V Typ(mΩ) 10
- Rdson @VGS10V Max(mΩ) 12
- Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ) 12
- Rdson @VGS4.5V Max(mΩ) 16
- Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS2.5V Max(mΩ)
-
加入对比
-
- CMD30811YTF5
- Plateform Trench MOSFET
- Configuration Dual
- Package DFN5x6
- N/P N
- VDSS(V) 30
- VGS(V) ±20
- ID(A) 45
- VGS(th) Min 1
- VGS(th) Max 2.5
- Rdson @VGS10V Typ(mΩ) 7
- Rdson @VGS10V Max(mΩ) 9
- Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ) 10
- Rdson @VGS4.5V Max(mΩ) 13
- Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS2.5V Max(mΩ)
-
加入对比
-
- CMD101312RSF5
- Plateform Trench MOSFET
- Configuration Dual
- Package DFN5x6
- N/P P
- VDSS(V) -100
- VGS(V) ±20
- ID(A) -11
- VGS(th) Min -1
- VGS(th) Max -2.5
- Rdson @VGS10V Typ(mΩ) 95
- Rdson @VGS10V Max(mΩ) 115
- Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ) 100
- Rdson @VGS4.5V Max(mΩ) 130
- Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS2.5V Max(mΩ)
-
加入对比
-
- CMD101312RSF5
- Plateform Trench MOSFET
- Configuration Dual
- Package DFN5x6
- N/P N
- VDSS(V) 100
- VGS(V) ±20
- ID(A) 8
- VGS(th) Min 1
- VGS(th) Max 2.5
- Rdson @VGS10V Typ(mΩ) 100
- Rdson @VGS10V Max(mΩ) 120
- Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ) 140
- Rdson @VGS4.5V Max(mΩ) 180
- Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS2.5V Max(mΩ)
-
加入对比
-
- CMN3005SF3
- Plateform Trench MOSFET
- Configuration Single
- Package DFN3.3x3.3
- N/P N
- VDSS(V) 30
- VGS(V) ±20
- ID(A) 57
- VGS(th) Min 1
- VGS(th) Max 2.5
- Rdson @VGS10V Typ(mΩ) 4
- Rdson @VGS10V Max(mΩ) 5
- Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ) 5.4
- Rdson @VGS4.5V Max(mΩ) 7
- Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS2.5V Max(mΩ)
-
加入对比
-
- CMN3005SF5
- Plateform Trench MOSFET
- Configuration Single
- Package DFN5x6
- N/P N
- VDSS(V) 30
- VGS(V) ±20
- ID(A) 66
- VGS(th) Min 1
- VGS(th) Max 2.5
- Rdson @VGS10V Typ(mΩ) 3.9
- Rdson @VGS10V Max(mΩ) 4.8
- Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ) 5.4
- Rdson @VGS4.5V Max(mΩ) 7
- Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS2.5V Max(mΩ)
-
加入对比
-
- CM04N65EHD
- Plateform Planar MOSFET
- Configuration Single
- Package TO-251
- N/P N
- VDSS(V) 650
- VGS(V) ±30
- ID(A) 4
- VGS(th) Min 2
- VGS(th) Max 4
- Rdson @VGS10V Typ(mΩ) 2400
- Rdson @VGS10V Max(mΩ) 2900
- Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS4.5V Max(mΩ)
- Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS2.5V Max(mΩ)
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